首页> 外文会议>Alternative lithographic technologies IV. >Complementary patterning demonstration with e-beam direct writer and spacer DP process of 11nm node
【24h】

Complementary patterning demonstration with e-beam direct writer and spacer DP process of 11nm node

机译:电子束直接写入器和11nm节点的间隔DP工艺的互补构图演示

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We successfully demonstrate complementary patterning with self-aligned double patterning (SADP) and currently usede-beam direct writer (EBDW). The complementary patterning is achieved with not only positive type pattern for gatelayer but also negative typ
机译:我们成功地展示了具有自对准双图案(SADP)和当前使用的电子束直接写入器(EBDW)的互补图案。互补图案不仅可以通过栅极层的正型图案来实现,而且可以通过负型图案来实现。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号