IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598;
line edge roughness; LER; line width roughness; LWR; rinse additives; 193 nm lithography;
机译:在193nm平版印刷术中对图案塌陷和缺陷进行表面光化冲洗
机译:掩模粗糙度对极限UV和193 nm浸没式光刻的影响
机译:添加剂对嵌段共聚物光刻中界面宽度和线边缘粗糙度的影响
机译:漂洗添加剂,用于193 nm和248 nm光刻中的缺陷抑制
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:基于microCT的增材制造质量控制的标准方法3:表面粗糙度
机译:193 nm光刻敏化透明光碱基添加剂。