Department of Nanomechanics, Tohoku University, Aoba 6-6-01, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan;
机译:通过深湿法刻蚀在GaAs上形成贯穿衬底的沟槽及其在GaAs CCD晶圆级封装中的应用
机译:湿法化学刻蚀制备808 nm GaAs基激光二极管的脊形波导
机译:湿法刻蚀制备窄条纹InAs / GaAs量子点激光器
机译:通过湿法蚀刻制造GaAs微波探头的尖端
机译:氮化铝块状晶体的湿法蚀刻研究及其通过微波的升华生长。
机译:通过ICP蚀刻制造和表征黑色GaAs纳米阵列
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀和快速湿法刻蚀制备高品质因子GaAs / InAsSb光子晶体微腔