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Etchant for wet etching AlGaAs epitaxial layer and method for manufacturing semiconductor device using the etchant

机译：用于湿蚀刻AlGaAs外延层的蚀刻剂和使用该蚀刻剂的半导体器件的制造方法

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Provided are an etchant for etching an Alsub

机译：提供一种用于蚀刻Al

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公开/公告号KR100567346B1

专利类型
公开/公告日2006-04-04

原文格式PDF
申请/专利权人
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申请/专利号KR20040019641
发明设计人 권오대;김무진;김동권;
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申请日2004-03-23
分类号H01L21/306;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 21:24:01

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