一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺

摘要

一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测。GaAs衬底作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层是缓冲层，正面电路包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻等微波集成电路，再生长一层GaN钝化层即是为了保护表面电路，也是为Pt薄膜电阻提供缓冲作用。本发明的目的在于提供了一种解决GaAs基微波器件、微波单片集成电路热损毁问题的方法，该方法在晶圆上改善GaAs功率器件且可避免pHEMT、HBT功率放大器的热引起器件功率降低甚至烧毁。