MOSFET; lithography; semiconductor device manufacture; semiconductor device reliability; LFNDMOS transistor; device manufacturing; high voltage transistors; hot-carrier degradation; lateral extended drain transistor reliability dependence; lateral field n-type tr;
机译:栅极偏置对漏极扩展金属氧化物半导体晶体管中热载流子可靠性的影响
机译:N型漏极扩展金属氧化物半导体晶体管中热载流子降解的沟道长度依赖性
机译:20 nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管的源漏串联电阻对饱和漏电流的结构依赖性
机译:横向扩展漏极晶体管的可靠性取决于光刻CD的变化
机译:地壳Q(BETA)(南非洲,表面波,模态隔离,加拿大,速度,反演,衰减系数,南美)的横向变化和频率依赖性
机译:通过基于扫描探针显微镜的光刻技术制造的双侧栅无结晶体管的收缩机制
机译:基于扫描探针显微镜的光刻制作双侧栅无结晶体管的夹断机制
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性