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【24h】

Lateral Extended Drain Transistor Reliability Dependence on Lithography CD Variation

机译:横向扩展漏极晶体管的可靠性取决于光刻CD的变化

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摘要

Developing reliable high voltage transistors requires consistent manufacturing of critical architectural parameters within the device over time and with various design configurations. Structural parameters that directly affect reliability are especially c
机译:开发可靠的高压晶体管需要随着时间的推移并采用各种设计配置,在设备内始终如一地制造关键架构参数。直接影响可靠性的结构参数尤其是c

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