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非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布

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摘要

本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布，并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线．这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管的性能的提高．

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来源
《半导体学报》 |1995年第8期|611-617|共7页
作者
林绪伦; 朱恩均;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
非晶硅; 发射极晶体管; 电流密度; 晶体管; 横向分布;

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