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机译:20 nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管的源漏串联电阻对饱和漏电流的结构依赖性
Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606-8585, Japan;
Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606-8585, Japan;
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机译:20 nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管中源漏串联电阻对饱和漏电流的高阶效应
机译:在100 Nm以下的金属氧化物半导体晶体管中,由于收缩而不是速度饱和导致的高漏极电压下的漏极电流饱和
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:受17 nm MOSFET的源极和漏极电阻影响的降低的饱和电流的结构依赖性
机译:场效应晶体管中的电流饱和机制。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少