Department of Information and Computer Sciences, Saitama University, 255 Shimo-Okubo Saitama 338-8570, Japan;
4H-SiC; 6H-SiC; catalytic gate devices; gas sensors; high temperature devices; schottky diodes;
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:NO敏感的薄Pt SiC肖特基二极管的气体响应和建模
机译:Au / n型6H-SiC肖特基二极管在较宽温度范围内的非均匀势垒高度研究
机译:激光烧蚀的薄PT门肖特基二极管,具有4H-和6H-SiC:响应高温下的气体
机译:使用砷化镓肖特基势垒二极管分析室温毫米波混频器。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:在高温下基于4H-SiC肖特基二极管的探测器剂量率线性
机译:pD / 6H-siC肖特基二极管气体传感器的电子和界面特性