机译:Au / n型6H-SiC肖特基二极管在较宽温度范围内的非均匀势垒高度研究
Omer Halisdemir Univ, Mecatron Dept, Nigde, Turkey;
Gazi Univ, Phys Dept, Ankara, Turkey;
Schottky diode; 6H-SiC; Richardson constant; Gaussian distribution of barrier; Barrier inhomogeneity;
机译:非均质Au / n型InP / In肖特基势垒二极管的横向势垒高度的确定
机译:Au / n型GaAs肖特基二极管势垒高度的温度依赖性
机译:(Au / Ti)/ Al_2O_3 / n-GaAs(MIS)型肖特基势垒二极管在宽温度范围内的双指数I-V特性和势垒高度的双高斯分布
机译:Ru / Pt / N-GaN肖特基屏障二极管中的双高斯分布不均匀屏障高度
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:宽温度范围内非均匀4H-SiC肖特基和JBS二极管的建模