1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究

摘要

为了更好地研究温度对碳化硅结势垒肖特基二极管（SiC JBS）静态电学参数的影响,我们成功制备了1.2 k V SiC JBS并对其在25℃-150℃温度范围内的静态I-V特性进行了研究。结果显示,常温工况下,所制器件在偏压为1.5 V时的正向电流可以达到5 A,而反向击穿电压高于1 300 V,具有良好的正、反向静态特性;高温工况下（150℃）,所制器件可以正常工作。随着温度的升高,器件的肖特基势垒高度及理想因子基本保持不变,具有良好的稳定性。正向工作时,由于材料迁移率的下降,器件导通电阻随着温度的升高而不断增大（为正温度系数）;反向工作时,击穿电压没有随着温度的升高而退化,漏电流则随着温度的升高而不断上升,低压时150℃状态下漏电流相较于常温状态的上升了1.5个数量级,而高压时同样情况下仅上升了1个数量级,符合雪崩击穿机制。