浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括：基底；N‑外延层，N‑外延层设置在基底的一侧；P+离子注入层，P+离子注入层设置在N‑外延层上；N+离子注入层，N+离子注入层设置在P+离子注入层上；介电层，介电层设置在N+离子注入层上；第一金属层，第一金属层设置在N+离子注入层上，第一金属层位于介电层内；防护层，防护层设置在介电层及第一金属层上；其中在P+离子注入层与N+离子注入层内形成PN浮动结。与现有技术相比，本发明具有如下优势：本发明的架构让能阶态单一，可以改善反向漏电大的缺点、优化正向电流能力、效率及均匀性，以提供更大的正向电流(Eas)能力及提高器件长期可靠性。