Department of Electrical Engineering and Computer Science (BARD Laboratory) University of Wisconsin-Milwaukee, PO Box 784, Milwaukee, Wisconsin 53201-0784;
rnDepartment of Electrical Engineering and Computer Science (BARD Laboratory) University of Wisconsin-Milwaukee, PO Box 784, Milwaukee, Wisconsin 53201-0784;
rnBloodCenter of Wisconsin, 638 N 18th Street, Milwaukee, Wisconsin 53233;
biosensors; field-effect transistor; schottky gate; immobilization;
机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究
机译:V形栅极金属对GaAs / InGaP / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管的边缘效应
机译:通过在AlGaAs / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管中插入Pra薄膜金属层来改善栅极泄漏和微波功率性能
机译:微球固定到微波Gaas场效应晶体管栅极金属上
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:P-GaAs纳米线金属半导体场效应晶体管,具有近极限门控
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。