用于全环栅晶体管的GAAS上的赝晶INGAAS

摘要

描述了一种非平面全环栅器件及其制作方法。在一个实施例中，通过在STI沟槽中选择性地沉积整个epi堆叠来形成多层堆叠。在缓冲层之上赝晶生长沟道层。在沟道层的顶部上生长盖层。在实施例中，STI层的高度保持高于沟道层，直到栅极的形成。在每一个沟道纳米线上并且完全绕着每一个沟道纳米线而形成栅极电介质层。在栅极电介质层上并且围绕沟道纳米线而形成栅电极。