CEA-Leti Minatec 17, rue des Martyrs 38054 Grenoble cedex 9, France;
rnCEA-Leti Minatec 17, rue des Martyrs 38054 Grenoble cedex 9, France;
rnCEA-Leti Minatec 17, rue des Martyrs 38054 Grenoble cedex 9, France;
rnToppan Photomasks Inc., Raehnitzer Allee 9, 01109 Dresden, Germany;
rnToppan Photomasks Inc., Raehnitzer Allee 9, 01109 Dresden, Germany;
rnToppan Photomasks Inc., 23932 NE Glisan Street, Gresham, Oregon 97007 USA;
rnToppan Photomasks Inc., 23932 NE Glisan Street, Gresham, Oregon 97007 USA;
rnNikon Corporation, Nikon Court, Kirkton Campus Livingston, West Lothian Scotland EH54 7DL;
mask CD control; mask registration; wafer metrology; pellicle; distortion; double patterning technology (DPT);
机译:45纳米技术节点单掩模和双掩模方法的双图案覆盖预算
机译:硬掩模对双图案光刻中光刻-平版蚀刻工艺反射率的影响
机译:单面双图案光刻技术,可降低成本并改善覆盖控制
机译:对CD&OVL错误预算的面具贡献是双重图案化光刻的预算
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:几丁质和壳聚糖的胶体和自掩蔽图案的纳米球光刻。
机译:1单面双图案光刻,降低成本,改善叠加控制