Department of Electronics and Communication Engineering, Gurunanak Instittute of Technology, Sodepur, Kolkata, India;
Radio Physics Engineering Department, Calcutta University, Kolkata, India;
II-VI semiconductor materials; Zinc compounds; Scattering; Photonic band gap; Impurities; Acoustics; Phonons;
机译:多糖的新型复合薄膜和谷胱甘肽封装锌硒化锌(GSH @ ZnSe)量子点检测CD2 +和Cu2 +
机译:单源分子前驱体,用于沉积硒化锌量子点
机译:量子点太阳能电池研究硒化镉(CdSe)QDs和硫化锌(ZnS)QDs在光阳极中的影响
机译:锌氧化锌(ZnS)单量子孔,硒化锌(ZnSe)和锌碲化锌(ZnTe)单量子阱中的二维迁移率:比较研究
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:使用Tc-99m / I-123和Tl-201 / I-123示踪剂与基于镉锌碲化物检测器的单光子发射计算机断层扫描技术进行比较性心脏幻影研究
机译:关于碲活性锌硒锌锌的光学响应:TE单晶
机译:窄间隙半导体中缺陷的电子表征 - 汞碲化镉,汞碲化锌和汞硒化锌中电子能级与形成能的比较