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(CdSe)m(ZnSe)np-ZnSe多量子阱中的多声子散射

     

摘要

对用原子层外延方法,在[001]晶向GaAs衬底上生长的[(CdSe)m(ZnSe)n]p-ZnSe应变量子阱结构,在10~300K温度范围内测量了喇曼散射光谱,观察到两种类ZnSe LO声子限制模.利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射,观察到高达7阶的类ZnSe LO声子模.并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|1995年第3期|161-166|共6页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院上海技术物理研究所,上海,100083;

    中国科学院上海技术物理研究所,上海,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外技术的应用;
  • 关键词

    CdTe/ZnSe; 多量子阱; 多声子散射;

  • 入库时间 2023-07-25 20:02:37

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