Dept of ECE, University of Michigan-Dearborn, 4901 Evergreen Rd, Dearborn, USA 48128;
Dept of ECE, University of Michigan-Dearborn, 4901 Evergreen Rd, Dearborn, USA 48128;
Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170;
Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170;
Hella Corporate Center USA Inc, 43811 Plymouth Oaks Blvd, Plymouth Twp., MI USA 48170;
Kettering University, 1700 University Ave, Flint, MI 48504;
Kettering University, 1700 University Ave, Flint, MI 48504;
Gallium nitride; Silicon carbide; Voltage control; HEMTs; MODFETs; Switches; Switching frequency;
机译:基于SiC MOSFET和GaN HEMT的高效大功率密度7.2 kW EV电池充电器的比较
机译:将可变开关频率可变相移控制和E模式GaN HEMT应用于基于间接矩阵转换器的EV电池充电器
机译:使用E型GaN HEMT的电动汽车效率高达98%的车载2级电池充电器的设计和优化
机译:基于SiC MOSFET和GAN HEMTS的高效高功率密度7.2kW EV电池充电器的比较
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准