高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器

摘要

本申请涉及功率器件，公开了一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，包括位于PCB板上的偶数组单管组，所述单管组阵列设置，每组所述单管组由多个单管并联而成。通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在PCB板上的功率回路杂感保持一致，以实现良好的均流特性，且减小整体占用空间。