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高功率密度SiC MOSFET光伏逆变器研究

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本文分析了SiC MOSFET对三相光伏逆变器功率密度提升的影响.基于损耗模型,比较了不同开关频率下SiC MOSFET两电平逆变器、Si IGBT两电平逆变器以及Si IGBTT型三电平逆变器的转换效率,并建造了实验平台,通过实际测量比较了三种逆变器的效率.研究表明采用SiC MOSFET可以显著提高三相光伏逆变器的功率密度.

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来源
《中国电源学会第二十二届学术年会》|2017年|2274-2279|共6页
会议地点上海
作者
WU Jun-xiong; 吴俊雄; HE Ning; 何宁; XU De-hong; 徐德鸿;
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作者单位

中国电源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM464:TM403;
关键词
三相光伏逆变器; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 功率密度; 可靠性;

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