Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama, Toyama, Japan;
Capacitance-voltage characteristics; Heterojunctions; Molecular beam epitaxial growth; Silicon; Substrates; Surface reconstruction; InSb; Si; conduction band discontinuity; heterojunction; valence band discontinuity;
机译:InSb双层膜制备初期覆盖对表面重构控制外延生长的InSb薄膜电学性能的影响
机译:液相外延制备的多孔Si异质结上n-InSb的制备和电学表征
机译:通过液相外延制备N-INSB / P-GAAs异质结的结构和电气特性
机译:n &#x002b的电气表征; sup> -insb / p-si异质金杂交grwon通过表面重建控制的外延
机译:InSb-InAs纳米线III型异质结的电学性质和能带图。
机译:In2S3纳米薄片/ p-Si异质结对光伏电池的表征
机译:喷雾热解技术制备的n-ZnO / p-Si异质结的电学表征