Capacitance-voltage characteristics; Heterojunctions; Molecular beam epitaxial growth; Silicon; Substrates; Surface reconstruction; InSb; Si; conduction band discontinuity; heterojunction; valence band discontinuity;
机译:液相外延制备Ni / Cu / p-Si肖特基二极管的结构,电学和磁学表征
机译:InSb双层膜制备初期覆盖对表面重构控制外延生长的InSb薄膜电学性能的影响
机译:外延生长的Co / n-CuO / p-Si异质结的电学,介电特性和光电应用
机译:n &#x002b的电气表征; sup> -insb / p-si异质金杂交grwon通过表面重建控制的外延
机译:铁磁金属与分子束外延生长的化合物半导体之间的界面的原位表面,化学,电学表征。
机译:In2S3纳米薄片/ p-Si异质结对光伏电池的表征
机译:喷雾热解技术制备的n-ZnO / p-Si异质结的电学表征
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。