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5 Minutes TSV copper electrodeposition

机译:5分钟TSV铜电沉积

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摘要

TSV(Through Silicon Via) is promising interconnection for the next generation smartphone, driving assistance and medical care system because of its ability of high speed image processing and low energy consumption. Conventional TSV electrodeposition requires several 10 minutes to hour because of applying small current of less than 10 mA/cm. We are able to electrodeposit the 6 μm diameter and depth of 25 μm TSV via within 5 minutes. A very high on current of 90 mA/cm is able to apply without void formation.
机译:TSV(硅通孔)由于具有高速图像处理能力和低能耗的特性,因此有望用于下一代智能手机,驾驶辅助和医疗保健系统的互连。由于施加小于10 mA / cm的小电流,传统的TSV电沉积需要几十分钟到一小时。我们能够在5分钟内对6μm直径和25μmTSV深度进行电沉积。可以施加90 mA / cm的非常高的导通电流而不会形成空隙。

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