用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂和电解液

摘要

本发明特别涉及一种用于TSV微孔电沉积铜填充工艺的添加剂，属于MEMS晶圆TSV微孔电沉积铜填充领域，包括抑制剂和空洞防止剂，所述空洞防止剂包括活性成分A，所述活性成分A的化学结构式为：其中官能团X为氮杂环或其衍生物。所述空洞防止剂能够让微孔底部的沉积速度显著大于侧壁的沉积速度，实现理想的超级底部生长填充模式，避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至于提前封孔的异常发生，明显降低电沉积铜填充过程和退火处理过程中的微裂缝和微空洞出现的可能性，保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。