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机译:含添加剂的硅通孔(TSV)中铜电沉积的数值模拟和实验验证
Cent S Univ, Sch Mech & Elect Engn, Changsha 410083, Hunan, Peoples R China;
TSV; Copper filling; Electrodeposition; Numerical modeling; Additives;
机译:添加剂存在下硅穿孔(TSV)填充的数值建模和实验验证
机译:确定具有添加剂的硅通孔中铜电沉积建模的参数确定
机译:基于元胞自动机模型的真空连铸纯铜凝固形态的数值模拟及其实验验证。
机译:含添加剂的TSV自底向上电沉积铜的数值模型
机译:硅通孔(TSV)的高质量镀铜的电解质和添加剂的分析特性
机译:预制结构灌浆缺陷识别的多元时空回归模型的数值和实验验证
机译:通过(TSV)技术脉冲反向电沉积脉冲反向电沉积型铜型铜的实验与理论研究
机译:适用于自由电子激光应用的铜和CsBr涂层铜光电阴极的能量扩散和发射测量的3步光电发射模型的实验验证。