Semiconductor Research and Development Center, IBM Systems and Technology Group, Hopewell Junction, NY 12533, USA;
机译:相变随机存取存储单元中切换动力学的三维仿真模型
机译:使用动态随机存取存储单元阵列评估堆叠IC芯片中的平面内局部应力分布,以实现高度可靠的三维IC
机译:使用硅通孔的三维动态随机访问存储器
机译:三维动态随机存取存储器
机译:1970年至1993年的国际动态随机存取存储器行业在动态能力三棱镜下进行了研究:技术政策的含义。
机译:神经网络系统的三维(3D)垂直电阻式随机存取存储器(VRRAM)突触
机译:具有片上纠错电路的容错三维动态随机存取存储器的设计
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性