静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器

摘要

本申请公开了一种静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器。该静态随机存取存储器单元结构包括第一反相器、第二反相器、第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管和第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管；第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第二反相器的输出端连接第一反相器的输入端；第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极/漏极与第一反相器的输出端相连接，第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的漏极/源极连接写位线；第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的栅极与第二反相器的输出端相连接。本申请采用全耗尽绝缘体上硅MOS管，可以保证保持状态下的静态噪声裕度、提升读状态下的抗干扰能力，并在高密度集成的情况下提高存储器读出及写入时的速度。