机译:设计稳定的低功率11-T静态随机存取存储器单元
GLA Univ Inst Engn & Technol Dept Elect & Commun Engn Mathura 281406 India;
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Static random-access memory; read stability; write ability; low power; process variation;
机译:基于16nm的鲁棒DG-FinFET的10T静态随机存取存储器单元设计,用于超低功耗设计
机译:基于Sub-1-V-60nm垂直体沟道MOSFET的六晶体管静态随机存取存储阵列,具有宽的噪声容限和出色的功率延迟乘积,并且通过静态随机存取存储单元的单元比对其进行了优化
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