Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science Technology, Taiwan;
Mobility; SiGe-Refilled Source/Drain); Strained Engineering;
机译:利用SiGe合金源/漏应力源提高应变Ge NMOSFET的电子迁移率的应变工程
机译:具有SiGe通道和嵌入式SiGe源/漏应力源的应变pMOSFET的特性和热载流子效应
机译:在嵌入式SiGe源/漏极形成之前,在Σ形沟槽中植入的橡皮布硼植入物的性能改进
机译:通过重新填充SiGe作为源极和流失的应变工程改善MOSFET电特性
机译:适用于超大规模MOSFET的源/漏工程。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:垂直堆叠纳米线MOSFET在替换金属栅极工艺中,内部间隔和SiGe源/排水管