Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Taiwan;
fully silicided gate; mobility; threshold voltage); work function;
机译:纳米平面Mosfet和Bulk Finfet器件中的过程变异和随机掺杂引起的阈值电压波动
机译:通过通道中有限的源极/漏极掺杂剂调节纳米级DG FinFET中的阈值电压
机译:改性双级FINFET中反转电荷和阈值电压的量子分析建模(BL-FINFET)
机译:P型FinFET器件上的阈值电压的调整
机译:高压GaN HEMT的栅极下沉阈值电压调整技术。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:HFO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上的阈值电压调整研究