University of Toronto (Canada).;
机译:X射线照射对AlGaN / GaN Hemts与P-GaN和MIS门的阈值电压的影响
机译:不同栅极凹陷技术的常关型GaN MOSFET中界面陷阱引起的随时间变化的阈值电压漂移
机译:通过正向栅极电压应力脉冲分析AlGaN / GaN MISHEMT中的阈值电压不稳定性
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN Mishemts的阈值电压工程与薄壁层:MIS-栅极电荷控制和高阈值电压成果
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:si上的增强型金属 - 绝缘体 - 半导体GaN / alInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+ 3.0V,阻断电压高于1000V