Institute of Physics, Lodz University of Technology, 219 W#x00F3;
lcza#x0144;
ska str., 90-924 Lodz, Poland;
HCG; manufacturing imperfections; numerical methods;
机译:衬底取向错误对(111)B GaAs分子束外延生长InGaAs / GaAs单应变量子阱的光学和结构性质的影响
机译:GaAs(001)和GaAs(112)基板上的二维Gase层的分子束外延:结构和光学性质
机译:在(1 1 1)Si衬底上生长的无催化剂的GaAs / AlGaAs核壳纳米/微丝的结构和光学性质
机译:GaAs衬底上的Si / SiO2和GaAs / Alox子波长HCG镜的光学性质及结构缺陷对其性能的影响
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:分子束外延在硅衬底上生长的自催化GaAs:Mn纳米线的结构和光学性质
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上生长的InGaas / alGaas pIN光调制器的缓冲层优化