Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electrical Component Laboratory, Guangzhou, 510610, Chinac;
ESD protection; GGNMOS; SOI; TLP test;
机译:栅控场效应二极管和可控硅整流器,用于先进SOI技术中的带电设备模型ESD保护
机译:基于氧化多孔硅的SOI结构中CMOS器件的总伽马剂量特性
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:栅极结构对SOI MOS装置ESD特性的影响
机译:新一代静电放电(ESD)保护结构的新型器件的设计和特性
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路