Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
机译:具有由低温富氮SiN / SiO_2叠层形成的隧穿层的电荷俘获闪存器件的提高的编程/擦除速度
机译:<![CDATA [SIO
机译:SiO_2隧穿和Si_3N_4 / HfO_2俘获层是通过低温工艺在全栅无结电荷俘获闪存器件上形成的
机译:用低温氮气富型SIN / SIO
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:低于200°C的低温溶液处理的可调闪存设备无隧道层和阻挡层
机译:HFO