Cree, Inc, Durham, NC, 27703;
rnCree, Inc, Durham, NC, 27703;
rnCree, Inc, Durham, NC, 27703;
rnCree, Inc, Durham, NC, 27703;
rnNaval Research Laboratory, Washington, DC, 20375;
rnCree, Inc, Durham, NC, 27703;
机译:4H-SiC衬底中基面位错密度对体二极管正向电压退化的影响
机译:一种基于电流 - 电压/电容 - 电压迹线的累积和Si器件中的4H-SiC金属氧化物半导体器件的表征研究与T的平均氧化物场的推导
机译:抑制4H-SiC PiN二极管由于衬底基面位错引起的正向偏置退化的数值研究
机译:由于基底脱位,4H-SiC高压装置中多数载流量的降解和阻塞能力
机译:用于有机发光器件的新型荧光粉,电荷载流子和电荷阻挡剂。
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:基底平面位错密度和热机械应力在100 mm PVT生长期间的4H-SIC期间
机译:4H-siC器件中的非微管位错:电性能和器件技术的影响