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韩临; 何燕冬; 张钢刚;
北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室,北京100871;
高压横向扩散场效应晶体管; 多区域直流电压电流技术; 界面态; 热载流子退化;
机译:SOI衬底上横向IGBT器件的热载流子退化模型
机译:多晶硅TFT,MOSFET和SOI器件中热载流子引起的退化的形成和退火,以及与/ spl alpha / Si:H中状态创建的相似性
机译:器件针对高压pLEDMOS晶体管中热载流子退化的优化
机译:SOI-nLDMOS器件在动态应力条件下热载流子退化的恢复效应
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:石墨烯一种用于高温器件的材料–固有载流子密度载流子漂移速度和晶格能
机译:采用双类型界面态模型的mOsFET器件新型热载流子退化机制
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:解决高压设备中热载流子退化的方法和结构
机译:用于提高预测半导体器件中热载流子注入(HCI)退化的准确性的结构和方法
机译:半导体器件的热载流子退化仿真
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