衬底温度及H掺杂对W掺杂ZnO影响的研究

摘要

采用脉冲磁控溅射技术使用掺杂浓度为1.5 wt.%(WO3：ZnO)的陶瓷靶,分别在Ar和Ar+H2的气氛下制备了W 掺杂ZnO(WZO)和H、W 共掺杂ZnO(HWZO)薄膜,系统的研究了衬底温度以及H 掺杂对WZO 薄膜特性的影响.结果表明：所制备的薄膜都呈(002)择优生长,薄膜结晶质量随着衬底温度的升高呈现先改善然后恶化的趋势.H 掺入之后薄膜的结晶质量改善,晶粒尺寸增加,电阻率由1.15×10-3 Ωcm 减小到8.35×10-4 Ωcm,400 到1100nm的平均透过率由82.4% 提高到84%.