Ⅲ-Ⅴ族氮化物电子输运性质的蒙特卡罗模拟

摘要

Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体比如氮化镓(GaN)、氮化铟（InN）和氮化铝(AlN)，在电子器件和光电器件中得到广泛应用，在过去这些年，已经有许多关于它们电子输运性质的蒙特卡罗模拟，但是近年的研究发现，以前模拟中所采用的材料参数与最新的研究结果并不相符。本文在新的参数的基础上，用蒙特卡罗方法模拟了它们在0-600kV/cm电场范围内稳态电子漂移速度与电场的关系，计算得到它们的低场迁移率，并建立了高场迁移率与电场的关系式，在此基础上，进一步建立焦耳热与电场的关系。