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薛舫时;
南京电子器件研究所;
Ⅲ族氮化物; HFET; 电流崩塌; 二维电子气; 异质结构;
机译:场镀氮化物HFET中电流崩塌消除的机理
机译:表面负电荷注入引起的AlGaN / GaN HFET电流崩塌的二维器件仿真
机译:多层碳掺杂/非掺杂GaN缓冲对抑制AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的影响
机译:Ⅲ-Ⅴ族氮化物基二维气体中的热电子传输
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:二维电子传输和固有迁移率限制 III-V族氮化物异质结构的电子气
机译:用于大功率电子器件开发的III族氮化物金属有机化学气相沉积系统。
机译:具有垂直形成的二维电子气的垂直III族氮化物半导体器件
机译:III型氮化物HEMT器件中的非均匀二维电子气分布
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