SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

摘要

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaN HEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V·s(室温)。采用上述材料制作1mm栅宽HEMTs器件,8GHz,45V工作时输出功率密度10.52W/mm,功率增益7.62dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。