Si基AlGaN/GaN HEMT外延材料

摘要

利用MOCVD研究了无裂纹Si基A了AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插入层和AlGaN层。探讨了AlGaN和AlN插入层的生长工艺、厚度对HEMT表面形貌和电学性质的影响。