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硅基3C-SiC热氧化机理研究

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本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050°C.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|543-546|共4页
会议地点广西北海
作者
赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 赵万顺; 王雷; 罗木昌; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
热氧化; XPS; 氧化机理; 低压化学气相沉积;

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