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李跃进; 杨银堂; 贾护军; 朱作云;
西安电子科技大学微电子所;
碳化硅; 化学气相淀积; 外延生长; 薄膜; 硅基;
机译:3C-SiC薄膜在Si上的外延生长条件与3C-SiC自悬浮膜力学性能的相关性
机译:用于3C-SiC外延生长的具有倒置硅棱锥的图案化基板:与常规(001)硅基板的比较
机译:NbN和NbC / sub x / N / sub 1-x /薄膜在3C-SiC薄膜覆盖的Si晶片上的外延生长
机译:在(100)和(111)取向的硅基板上生长的3C-SiC异质外延层中的应变
机译:电子应用硅上外延3C-SiC薄膜的生长和表征。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:复合半导体的外延生长技术 - 晶体生长技术的前缘(2)3。通过MOCVD方法生长高均匀的薄膜
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:形成3C-SIC外延薄膜的方法及由此形成的SIC外延薄膜
机译:3C-SiC外延层的制造方法,3C-SiC外延基板和半导体装置
机译:3C-SiC外延层的制造方法,3C-SiC外延基板以及半导体装置
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