一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征

摘要

采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜.H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供.利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质.结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜.