法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
授权
授权
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160425
实质审查的生效
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160425
实质审查的生效
2016-09-21
公开
公开
2016-09-21
公开
公开
机译: 一种用于半导体器件和方法的半导体器件和方法,用于在硅基晶体管中通过使用注入技术在沟道区下方产生形变诱导层来产生形变
机译: 在室温下,基于有机硅基团的酮基丁烯改性聚氧亚烷基聚醚的净质量
机译: 具有高闩锁电阻的碳化硅基MIS结构(具有高闩锁电阻的基于碳化硅的MIS结构)