Si<,1-x>Ge<,x>/Si表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)研究

摘要

在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的500nm厚的Si<,1-x>Ge<,x>合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge含量的增加表面合金的晶格膨胀、结构弛豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致弛豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定.