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徐世红;
半导体表面;
机译:金属Al 2 O 3-氮化物-氧化物半导体(MANOS)和半导体-氧化物-氮化物-氧化物半导体(SONOS)电荷陷阱闪存的耐久性和偏置温度不稳定性特征的比较研究
机译:金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体存储器的SiO_2层中O空位与N和H原子的络合物的原子行为的理论研究:金属氧化物-氮化物-氧化物-氧化物中不可逆阈值电压偏移的物理起源半导体存储器
机译:用于高级双栅氧化物p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的等离子体氮化和热氮化氧化物可靠性问题的系统研究
机译:用重氮化学用表面官能化合成氧化石墨烯氧化物表面的纳米甲基颗粒及其电催化活性对甲醇氧化的研究
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:金属 - 氮化物 - 氧化物 - 半导体(mNOs)辐射表征研究。
机译:具有端面保护层的半导体激光元件,端面保护层包括形成在端面上的未氧化或未氮化的第一子层和通过氧化或氮化第一子层的表面而产生的第二子层
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