高比表面氮化钨的合成及氧化钨氮化机理研究

摘要

本文利用程序升温反应合成了高比表面β-W2N,所合成的β-W2N的氮气吸脱附等温线呈Ⅳ型,并具有H3型滞后环,BJH孔径分布具有双孔分布,孔径分别为2.5nmand3.4nm,后者为氮化钨的主孔道.氮化钨的BET比表面高达81m2/g.借助于in-situXRD考察了氧化钨的氮化机理,并提出了还原一氮化机理.