加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体

摘要

一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。