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竺士炀;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:超薄(50 nm),完全耗尽的深亚微米NMOS和PMOSFET / SIMOX的前后界面中的热载流子注入氧化物区域及其热载流子抗扰性
机译:在硬化的全耗尽SIMOX SOI晶圆中制造的伪MOS晶体管的辐射响应
机译:具有耗尽钨的源极/漏极的全耗尽CMOS / SIMOX中的ESD保护
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:全雌性鱼类中原始生殖细胞的完全耗尽会导致性别偏向的基因表达改变和不育的全雄性发生
机译:FIPOS和SIMOX基板中完全耗尽的SOI-CMOS晶体管的比较
机译:用于全耗尽硅绝缘体的低剂量低能量sImOX
机译:具有静电放电保护的全耗尽SIMOX CMOS的形成方法
机译:PMOSFET电阻的偏置电路,用于补偿影响PMOSFET电阻的过程,电压和温度(PVT)变化
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